CMOS

FinFET

MOSFET

p,n접합 다이오드 트랜지스터

액츄에이터

CV,LSV

NOR NAND Flash , DRAM , SRAM , AP

SLC MLC TLC 

source gate drain

FPGA(field programmable gate array, 필드 프로그래머블 게이트 어레이)는 설계 가능 논리 소자와 프로그래밍가능 내부선이 포함된 반도체 소자이다. 설계 가능 논리 소자는 AND, OR, XOR, NOT, 더 복잡한 디코더나 계산기능의 조합 기능같은 기본적인 논리 게이트의 기능을 복제하여 프로그래밍할 수 있다. 대부분의 FPGA는 프로그래밍가능 논리 요소 (FPGA 식으로는 논리 블록이라고도 함)에 간단한 플립플롭이나 더 완벽한 메모리 블록으로 된 메모리 요소를 포함하고 있다.

프로그램이 가능한 내부선 계층구조는 FPGA의 논리블록을 시스템 설계자가 요구하는 대로 단일 칩 프로그래밍가능 빵판처럼 내부연결을 할 수 있다. 이 논리블록과 내부선은 제조공정 이후에 소비자/설계자가 프로그램할 수 있으므로 요구되는 어떠한 논리기능도 수행할 수 있다.(그러한 이유로 "현장 프로그래머블")

FPGA는 일반적으로 주문형 반도체(ASIC) 대용품보다 느리고, 복잡한 설계에 적용할 수 없으며, 소비전력이 크다. 그러나 개발시간이 짧고, 오류를 현장에서 재수정할 수 있고, 초기 개발비가 저렴하다는 장점이 있다. 제조사는 설계 이후에 수정할 수 없도록 할당된 덜 유연한 FPGA 버전으로 싸게 팔 수 있다. 이런 설계개발은 일반적인 FPGA에서 만들었고 좀 더 ASIC와 비슷한 고정된 버전으로 변경되었다. CPLD는 비슷한 역할을 할 수 있는 소자이다.

https://ko.wikipedia.org/wiki/FPGA

 어플라이드머티어리얼즈와 도쿄일렉트론의 합병이 계속 미뤄지고 있다. 양사는 세계 반도체 장비 시장 1, 3위 업체다. 두 회사의 합병이 이뤄진다면 장비 시장은 물론 전방 산업계에도 큰 영향을 미칠 것으로 전문가들은 관측하고 있다. 경쟁사들은 끼워팔기, 부분품 독점 구매, 특허권 남용 등 장비 시장 전반의 경쟁을 심각하게 저해할 것이라며 양사 합병을 반대하고 있는 상황이다. 양사는 과연 주요 각국의 규제당국으로부터 합병 승인을 받아낼 수 있을까. 

글 한주엽 기자 powerusr@insightsemicon.com

2013년 9월 세계 반도체 업계를 뒤흔드는 소식이 전해졌다. 미국의 반도체 장비 업체 어플라이드머티어리얼즈(AMAT)와 일본 도쿄일렉트론(TEL)의 경영통합, 즉 합병 발표였다. 양사는 표면적으로는 ‘동등 조건의 합병’이라고 발표했지만, 사실상 AMAT가 TEL을 93억9000만달러(약 10조원)에 인수하는 것이 골자였다. 양사는 합병후 네덜란드에 지주회사를 설립키로 하고 이 회사의 주식 68%를 AMAT가, 나머지 32%는 TEL이 가져가는 그림을 그렸다.

AMAT와 TEL은 매출액 기준 각각 세계 반도체 장비 시장 1위와 3위의 지위를 확보하고 있는 업체다. 전문가들은 양사가 합병하면 세계 반도체 장비 업계의 지각 변동은 물론 주요 소자 업체들의 시설투자 정책에도 적잖은 변화가 생길 것으로 예상했다.

한국을 포함한 대만, 미국, 중국, 일본의 규제 당국은 AMAT와 TEL의 기업결합 신청서가 접수된 지 1년 가까이 지난 지금까지도 합병 승인을 내지 않고 있다. 반독점 우려 때문이다. 합병을 승인한 국가는 싱가포르와 독일 뿐이다. 각국의 경쟁 장비 업체들은 양사가 우월적 시장점유율을 활용해 끼워팔기를 통한 경쟁 배제, 장비 부분품 조달 봉쇄, 특허권 남용 등의 우려가 있다며 양사 합병을 반대하고 있다. 장비를 구매하는 소자 업체들 역시 이번 합병에 대해 간접적 반대 의사를 표시하고 있는 것으로 전해진다. 이들은 노광(Lithography) 및 측정(Measurement)·검사(Inspection) 장비 시장에서 독점적 지위를 확보하고 있는 ASML과 KLA-텐코의 사례(장비 가격 상승, 지연손해금 청구 배제 등)를 거론하며 AMAT와 TEL의 합병이 이뤄져선 안된다는 주장을 펼치고 있다.

이처럼 합병 승인이 늦어지면서 AMAT와 TEL을 통합할 네덜란드 지주회사 ‘에테리스(Eteris)’의 출범도 미뤄지고 있다.

반도체 생산공정의 이해

반도체 생산공정은 크게 전공정(前工程)과 후공정(後工程)으로 나뉜다. 얇은 원형판 모양의 실리콘 웨이퍼(Wafer)에 회로를 새기는 과정이 전공정, 회로가 새겨진 웨이퍼를 잘라 각각의 칩(Die)으로 나누고 금속줄 등을 연결(Bonding)해 독립 반도체 소자로 만드는 과정을 후공정이라 한다. 핵심은 웨이퍼를 가공하는 전공정이다. 소자업체가 반도체 라인를 건설할 때 전체 장비 투자액 가운데 70%가 전공정 장비 구매에 할당된다.

전공정은 다시 포토(Photo), 증착(Deposition), 세정(Clean), 식각(Etch), 화학적기계적연마(Chemical mechanical polishing, CMP), 확산(Diffusion), 이온주입(Ion implantation)으로 나눌 수 있다.

포토 공정이란 마스크에 새겨진 회로 패턴을 실리콘 기판으로 전사시키는 전 과정을 의미한다. 구체적으로는 감광액(Photoresist)을 웨이퍼 표면 위에 골고루 도포한 뒤 광원을 쏘아 마스크에 새겨진 패턴을 웨이퍼 위에 형성하는 노광(Lithography) 공정 등이 있다.

증착은 웨이퍼 위로 매우 얇은 막을 얹는 기술이다. 방식에 따라 물리기상증착(Physical vapor deposition, PVD)과 화학기상증착(Chemical vapor Deposition, CVD)으로 나뉜다. CVD는 각종 가스 재료를 열 혹은 광분해 등의 화학반응을 이용해 기판 표면에 박막을 형성한다. CVD는 가장 많이 사용되는 증착 방식이다. PVD는 재료 대상에 물리적인 힘(열, 전자 운동 에너지 등)을 가해 웨이퍼 표면에 박막을 증착시키는 방식이다. 대표적인 PVD 방식으로는 스퍼터링(Sputtering)이 있다. 스퍼터링은 진공 상태에서 이온화된 양이온 아르곤(Ar+) 가스를 타겟(재료)에 강하게 충돌시켜 이 에너지에 의해 미세화된 재료 물질이 웨이퍼에 증착되는 방식이다. CVD와 PVD 외에도 에피택시(Epitaxy), 도포성막(Spin on dielectric, SOD), 전기화학증착(Eletrochemical deposition, ECD) 등의 증착 방식이 있다. 에피택시는 실리콘 웨이퍼 위에 동일한 단결정 층을 형성시키는 공정이다. SOD는 액체 상태의 절연물을 웨이퍼 위에 코팅한 뒤 열처리 과정을 거쳐 평탄화된 절연물을 증착하는 기술이다. ECD의 경우 전기 회로의 배선을 형성하는 전기화학 증착 방식을 의미한다.

세정은 웨이퍼 가공 중 발생하는 다양한 오염물을 없애는 공정이다. 세정 공정은 크게 화학물질을 이용한 습식과 건식, 증기식이 있다. 과거 반도체 업체들은 대부분 화학물질을 이용한 습식 세정 공정을 주로 사용했으나 환경 및 과도한 원가 상승 문제 등으로 최근에는 건식과 증기식을 주로 활용하고 있다. 세정과 비슷한 공정으로는 애싱(Ashing)이 있다. 애싱은 노광 작업을 위해 도포된 감광막을 식각 후 제거해주는 공정이다. 

식각은 노광으로 새겨진 회로 패턴 또는 증착 공정으로 얹어진 박막을 화학적 혹은 물리적 반응을 통해 깎아내는 공정을 의미한다. 건식(Dry) 식각 장비가 주류다. 건식 식각 장비는 크게 일반적인 실리콘웨이퍼 식각 장비와 에치백(Etch back)으로 나뉜다. 실리콘 웨이퍼 식각 장비는 다시 폴리실리콘 식각, 실리콘 디옥사이드(Dioxide) 식각, 금속(Metal) 식각으로 분류된다. 에치백은 포토 공정 없이도 증착 막질의 식각 선택비 차이를 활용해 원하는 형태의 패턴을 형성할 수 있는 공정 장비다. 아주 미세한 패턴을 구현하긴 어렵지만 생산성이 높은 것이 장점이다.

CMP는 웨이퍼 표면을 패드에 압착하고 이 사이로 산화물 혹은 금속 계열 연마제인 슬러리(Slurry, 고체 액체 혼합물)를 흘려준 뒤 패드를 고속 회전시키는 화학적기계적 연마를 통해 산화 절연막이나 금속 배선을 평탄화하는 공정이다.

확산은 실리콘 웨이퍼에 불순물 원자를 도핑하고 원하는 만큼 불순물을 이동시키는 공정을 의미한다. 확산 공정은 구체적으로 산화막 공정, 열처리 공정으로 나뉜다. 산화막 확산 공정은 전기적 특성이 우수한 얇은 막질을 균일하게 형성할 수 있다. 열처리 공정은 불순물이 주입된 막질이 있는 웨이퍼를 고온의 확산로에서 가열하는 과정을 의미한다. 이를 통해 불순물이 웨이러 내부로 확산되거나 휘발성 물질을 제거할 수 있다.

이온주입은 불순물을 생성시킨 후 일정한 에너지로 가속, 웨이퍼에 균일하게 주입하는 공정이다. 이온주입을 통해 트랜지스터의 전기적 특성도 조절할 수 있다. 

각 공정 장비 시장 규모와 점유율

시장조사업체 가트너에 따르면 2012년 연간 기준 증착 공정 장비 시장 규모는 60억100만달러에 이른다. 증착 공정 장비 시장은 다시 CVD, 스퍼터링, 에피택시, ECD, SOD로 나뉜다. CVD 시장 규모는 30억500만달러, 스퍼터링은 16억240만달러, 에피택시는 5억8900만달러, ECD는 2억1400만달러, SOD는 9100만달러 규모다.

건식 식각 장비 시장 규모는 38억8500만달러였다. 건식 식각 장비 가운데 실리콘 웨이퍼 식각용 장비 시장 규모는 37억8100만달러, 기타 식각 장비 시장의 규모는 7400만달러다. 이외에도 세정장비 25억1200만달러, 감광액 처리 장비 16억1800만달러, 이온주입 장비 10억3330만달러, 확산 장비 9억700만달러, CMP 장비가 7억8300만달러 수준의 시장 규모를 형성하고 있다.

노광을 포함한 주요 17개 공정 장비 시장에서 AMAT와 TEL이 참여하지 않는 시장은 4개에 불과하다. AMAT는 증착(CVD, 스퍼터링, 에피택시, ECD), 식각(실리콘 웨이퍼 식각, 에치백, 기타 식각), CMP, 확산, 이온주입 등 10개 장비 시장에 참여하고 있다. 이 가운데 CVD, 스퍼터링, 에피택시, 에치백, CMP, 확산, 이온주입 장비 시장에서 점유율 1위를 차지하고 있다.

TEL은 감광액 처리, 증착(CVD, SOD, ECD), 세정, 식각(실리콘 웨이퍼 식각, 에치백), 확산 장비 시장에 참여하고 있다. TEL은 감광액 처리 장비 시장에서 1위를, SOD, CVD, 세정, 실리콘 웨이퍼 식각, 확산 장비 시장에서 2위를 차지하고 있다. TEL을 합병하면 AMAT는 기존에는 보유하지 않고 있던 감광액 처리 및 세정 장비 시장에 진출할 수 있게 된다. CVD 시장에선 57%에 육박하는 점유율로 2위 업체(램리서치, 17%)와의 격차가 3배 이상이 된다. 확산 장비 시장에서도 64%의 점유율로 우월적 지위를 확보할 것이라는 관측이다. 에치백 장비 시장의 경우 현재 AMAT와 TEL이 시장을 양분하고 있으므로 사실상 독점 체제를 구축하게 될 것으로 보인다. 이외 실리콘 웨이퍼 식각 장비 시장에서 양사는 40%의 점유율을 확보, 해당 시장 1위 기업인 램리서치(46%)를 압박할 수 있게 될 것이라는 관측이다.

합병 후 예상 시나리오

이처럼 대부분의 전공정 장비를 아우르는 거대 업체가 탄생할 경우 해당 업계의 경쟁 구도는 물론 장비를 사 가는 전방 산업계에도 큰 변화가 생길 것이라는 예상이다. 우선 예상되는 시나리오는 ‘끼워팔기’다. AMAT와 TEL은 노광을 포함한 17개 세부 반도체 전공정 장비 가운데 13개 시장에 참여하고 있으므로 가격할인, 납기준수 등을 조건으로 다양한 장비를 일괄 구매할 것을 전방 산업계에 제안할 수 있다. 이럴 경우 국내외의 소규모 경쟁 장비 업체들은 타격을 받을 수 밖에 없다. 실제 측정 및 검사 장비 시장에서 독점적 지위를 확보하고 있는 KLA-텐코의 경우 자사의 다양한 장비를 일괄 구매하지 않는 고객사에게는 납기일이 미뤄질 수 있다고 ‘배짱’을 부리는 것으로 전해진다.

AMAT와 TEL이 연구개발(R&D)을 통해 독자적인 표준 규격을 제정할 가능성도 배제하지 않을 수 없다. 각기 다른 웨이퍼 가공 장비는 단일 자동화 시스템에 통합, 운용되므로 각 장비간의 호환성이 중요하다. 지금은 국제반도체장비재료협회(SEMI)를 통해 각 장비간 연결성에 관한 표준이 제정되고 있지만 AMAT와 TEL의 합병 회사가 독자적인 표준을 제정한다면 이 역시 경쟁사의 시장 진입을 억제하는 요인으로 작용할 수 있다. 합병 회사가 히터와 챔버, 펌프 등 장비 부분품(부품)을 독점 구매할 경우에도 경쟁사 영업에 커다란 부정적 영향을 미칠 수 있다. 방대한 특허로 경쟁사의 신규 시장 진입을 막을 가능성도 배제하지 않을 수 없다. TEL은 1만6000건, AMAT는 1만500건의 특허를 보유하고 있다. 과거 오스트리아의 세정 장비 전문 업체였던 세즈(Sez)는 세메스(삼성전자 자회사)가 해당 시장에 진입하려 하자 자사 특허를 침해했다며 소송을 낸 바 있다(결과는 세메스의 승리). 이런 식의 특허 소송이 남용될 수 있다는 것이 업계 종사자들의 우려다. 

AMAT와 TEL은 합병 발표 당시 “2017년 통합 회사의 매출액은 182억달러, 영업이익 46억달러, 영업이익률 25%를 목표로 잡았다”고 밝힌 바 있다. 이는 2012년 양사 매출액 합계(약 100억달러) 대비 두 배 가까이 성장하겠다는 것이다. 업계 관계자는 “양사가 얘기하는 ‘합병 후 시너지 효과’는 국내 중소규모 장비 업체들에게는 재앙으로 다가올 것”이라고 말했다. 이용한 원익 회장은 지난해 8월 열린 ‘한국 반도체·디스플레이 산업 현안점검 간담회’에서 “AMAT와 TEL의 합병은 마치 메모리 분야에서 삼성전자와 SK하이닉스가 합치는 것과 마찬가지”라며 “국내 장비 업체에 엄청난 타격이 올 것으로 예상하고 있다”라고 말했다.

이에 대해 송상민 공정거래위원회 기업결합과장은 “심사를 진행 중인 사안에 대한 별도 언급은 내부 규정상 엄격히 금지돼 있다”고 말했다. 송 과장은 그러나 “AMAT와 TEL의 합병 심사는 다른 기업들의 그것과 비교해 상당히 지연되고 있는 것은 사실이다”라고 말했다. 그 만큼 고심을 하고 있다는 의미다. 그는 “글로벌 인수합병 사례의 경우 타국의 규제당국과 세밀한 논의를 거치므로 승인, 조건부 승인 혹은 불승인 발표가 비슷한 시기에 나올 가능성이 높다”고 말했다.

반도체 미세공정 주도권 전쟁: EUV와 QPT

출처 http://www.ddaily.co.kr/news/article.html?no=128593

다 하나도 몰라서 모두다 빨간 글자가 되길래 그냥 나둠.... 공부하자

http://gamma0burst.tistory.com/category/%EB%B0%98%EB%8F%84%EC%B2%B4%20%EA%B0%95%EC%A2%8C

http://blog.naver.com/seo0511/220457634400

http://blog.naver.com/dia830/220256815443

http://blog.naver.com/paval777 반도체 블로그

http://blog.naver.com/kgsshow1994/140172476088

http://blog.naver.com/seoduddl/50085285295

메모리 반도체를 앞세워 ‘수퍼 사이클’(장기호황)에 올라탄 국내 반도체 업체들이 시스템 반도체에서 또 한번의 도약을 준비하고 있다. 메모리 반도체가 데이터를 ‘저장’하는 장치라면 시스템반도체(비메모리반도체)는 데이터의 ‘처리’를 담당한다. 메모리의 대표 주자가 D램·낸드플래시라면, 시스템반도체의 대표 주자로는 모바일 기기의 ‘뇌’에 해당하는 어플리케이션프로세서(AP), ‘눈’에 해당하는 이미지센서(CIS) 등이 있다.
 

SK하이닉스는 10일 충북 청주 본사에서 파운드리 전문회사 ‘SK하이닉스 시스템IC’의 출범식을 열었다. 사업 부문을 떼내 별도의 자회사를 만든 것이다. 초대 사장은 김준호 SK하이닉스 경영지원총괄 사장이 맡았다. SK하이닉스 측은 “소품종을 대량 생산하는 메모리 사업과 달리 시스템반도체는 다품종을 소량 생산해야 하기 때문에 독자 경영이 필요하다고 판단해 분사하게 됐다”고 설명했다. SK하이닉스는 임직원 1300여 명을 파운드리 전문회사 소속으로 보직 변경하고, 신규 및 경력사원 채용도 준비하고 있다.
 
삼성전자나 SK하이닉스처럼 반도체의 설계부터 생산까지 모두 맡는 회사를 종합반도체(IDM) 회사라 하고, 파운드리는 주로 위탁 주문만 전문으로 생산하는 업종을 말한다. 파운드리에 주문이 들어오는 제품이 대부분 비메모리인 시스템반도체이다 보니 업계에서는 파운드리와 시스템반도체 용어를 혼용해 사용한다. 신설된 SK하이닉스 시스템IC는 생산 공장 없이 반도체 설계만 전문으로 하는 업체인 ‘팹리스’ 고객을 확보해 시스템반도체 생산량을 늘리겠다고 나선 것이다.
 
파운드리 시장은 지름 200mm 짜리 웨이퍼에서 시스템반도체를 만드느냐, 300mm짜리에서 만드냐에 따라 기술 수준이 나뉘는데 SK하이닉스 시스템IC는 200mm 파운드리 시장에서 고객층을 넓힌 뒤 기술 난이도가 높은 분야로 진출할 계획이다. 현재 파운드리 분야 1위인 대만의 TSMC가 대부분의 주문품을 300mm 웨이퍼에서 생산한다. 글로벌 4위인 삼성전자도 일부 제품은 300mm에서 생산하고 있다. 김준호 사장은 이날 출범식에서 “짧은 시간 안에 200mm 파운드리 업계에서 최고 경쟁력을 갖춘 회사로 키우겠다”고 말했다. 지난해 SK하이닉스의 글로벌 파운드리 시장 점유율은 0.3%로 톱10에 들지 못했다.

사진 크게보기

 
삼성전자는 한발 앞서 지난 5월 시스템LSI 사업부를 팹리스와 파운드리 사업부로 분리하는 조직개편을 실시했다. 그전까지는 파운드리가 시스템LSI 사업부 내에 팀 단위로 존재했지만 이를 별도의 사업부로 독립시킨 것이다. 삼성전자 신현수 과장은 “설계(팹리스)와 생산(파운드리)을 분리해 각자의 경쟁력으로 고객사를 확보하자는게 조직 개편의 취지”라고 설명했다. 삼성전자는 D램과 낸드에서 각각 점유율 45%과 38%로 세계 1위를 차지하고 있지만 파운드리 분야에서는 5.4%로 4위에 그치고 있다. 삼성전자는 내부적으로 파운드리 시장 점유율 54%로 세계 1위인 대만의 TSMC를 따라잡겠다는 목표를 세운 것으로 알려졌다. 이를 위해 내년까지 시스템 반도체 전문가를 1000명 이상 대거 영입할 계획이다. 삼성전자 관계자는 “국내는 물론 해외인재 유치에도 적극 나설 것”이라고 설명했다.
 

국내 반도체 업체들이 시스템 반도체에 공을 들이는 이유는 4차 산업혁명 시대를 맞아 시장이 폭발적으로 커질 가능성이 높아서다. 한국반도체산업협회 류세은 홍보전문위원은 “4차 산업혁명시대에는 정보를 저장·기억하는 메모리반도체 보다 사물을 인지하고, 연산·제어·처리능력 갖춘 시스템반도체의 가치가 더 강조될 것”이라며 “자율주행, 사물인터넷, 인공지능(AI), 로봇에까지 시스템반도체의 수요가 크게 늘어날 것”이라고 전망했다.
 
비메모리와 메모리의 시장 규모는 지난해의 경우 2.5대 1이었다. 시장조사업체 아이서플라이에 따르면 지난해 글로벌 시스템반도체 시장규모는 2082억 달러, 메모리는 822억 달러였다. 시장조사업체 IC인사이츠에 따르면 시스템 반도체 시장에서 제외되는 순수 파운드리 시장의 매출액은 지난해 500억달러(약 56조원)로 1년새 11%나 증가했다. 순수 파운드리가 바로 삼성전자나 SK하이닉스가 위탁 생산을 위해 뛰어드는 시장이다. 업계에선 순수 파운드리 시장이 2020년까지 792억 달러(약 88조원)로 성장할 것으로 전망한다. 수퍼사이클에 올라 타 급성장하고 있는 지금의 메모리 반도체와 유사한 규모다.

[출처: 중앙일보] 메모리 석권한 한국, 이젠 시스템 반도체 본격 공략

출처 http://news.joins.com/article/21745115

머니투데이 임동욱 기자 2017.05.18 17:03

SEMI 컨퍼런스, "초미세 공정 위한 소재개발 힘써야"..빅데이터 시대 '메모리 중요성' 커져

조현대 한국SEMI 대표가 18일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 반도체전자재료 기술컨퍼런스 'SMC Korea'에서 발언하고 있다. /사진제공=한국SEMI

10나노 이하 반도체 미세공정 경쟁이 본격화되는 가운데, 기존 기술의 한계를 넘기 위한 업계의 도전이 계속되고 있다. 

국제반도체장비재료협회(SEMI)는 18일 서울 삼성동 코엑스에서 반도체전자재료 기술컨퍼런스 'SMC(Strategic Materials Conference) Korea'를 개최했다. 

'반도체 소재의 미래'를 주제로 열린 이날 컨퍼런스는 약 220명의 업계 관계자가 참석한 가운데 △차세대 메모리를 위한 반도체 소재의 도전 과제 △소재 시장 전망 △주요 공정 재료 기술 △미래 반도체 전망 등을 심도 있게 다뤘다. 

기조연설에 나선 도쿄 일렉트론의 강호영 박사는 "리소그래피(노광, 반도체회로를 웨이퍼 위에 입히는 기술)의 스케일링(미세화)이 어려워지고 있는데, 미세화를 하면서 경제성을 유지하는 좋은 방법은 3D 구조"라며 "3D로 가지 않으면 5나노 이하 스케일링은 어렵다"고 진단했다. 

강 박사는 "웨이퍼를 여러 층 쌓아올리는 과정에서 얼라이먼트(정렬) 정확성을 확보하기 어렵다"며 "이에 적합한 소재 개발에 힘써야 한다"고 말했다. 

최근 각광받는 3D 낸드 소재의 기술적 한계에 대한 지적도 나왔다. 

홍성현 램 리서치(Lam Research) 코리아 전무는 "수직적으로 쌓아 올리는 3D 낸드는 고집적화가 진행되면서 머지않아 높이의 한계에 도달할 수 있다"며 "적층 구조를 조화롭게 최적화시키지 않을 경우 웨이퍼가 휘어지는 문제가 발생할 수도 있다"고 밝혔다. 

홍 전무는 "3D 낸드 공정에서 빈 공간을 텅스텐 등 메탈 소재로 채우는 '메탈 필'을 하게 되는데, 후속 열처리공정에서 특성이 저하되는 문제점 등은 극복해야 할 도전 과제"라며 "기존 증착 방식 및 소재의 한계를 넘어서야 한다"고 강조했다. 

2013~2015년 삼성전자 반도체 로드맵 위원회 멤버였던 최정식 레이크 머티리얼즈 부사장도 "(미세화 공정이) 10나노 이하로 들어가려면 모든 소재를 바꿔야 한다"고 주장했다. 

초미세 공정을 위한 EUV(극자외선 Extreme Ultraviolet) 노광 기술도 주요 이슈로 다뤄졌다. EUV는 13.5나노미터(nm)의 극자외선을 이용해 웨이퍼 위에 회로를 그리는 노광 기술로, 상용화시 집적 회로의 밀도를 2배 이상 높일 수 있다. 

조현대 한국SEMI 대표는 "지난해까지만 해도 EUV 방식을 놓고 논란이 있었지만, 이제는 (업계에서) EUV 방식으로 가는 것이 확정돼 관심이 높아진 상황"이라고 말했다. 

삼성전자는 최근 컨퍼런스콜에서 2018년 초 시스템LSI 반도체를 7나노 공정으로 초도생산하고 2019년 본격 양산키로 하고, 이 과정에서 EUV를 최대한 활용해 공정 경쟁력을 극대화할 방침임을 밝힌 바 있다. 

미래 반도체 전망에 대해 황철성 서울대 교수는 "데이터의 양이 폭발적으로 증가하는 '빅데이터'를 다루기 위해서는 에너지를 엄청나게 더 쓰게 된다"며 "이대로 계속 데이터의 양이 증가하면 발전소가 1000억개 생겨야 한다는 황당한 계산도 나오는데, 결국은 (엄청난 양의 연산을 위해 필요한) 메모리가 중요해진다는 이야기"라고 말했다. 

황 교수는 "앞으로 반도체 시장에서 메모리 비중이 커지면서 인텔은 어려워지는 반면 삼성전자(2,650,000원 ▲10000 +0.4%)는 더 잘될 것 같다"며 "D램과 낸드플래시가 좌우하는 메모리 시장 구조는 앞으로도 지속될 것"이라고 내다봤다. 

출처http://m.mt.co.kr/renew/view.html?no=2017051816424978478&MVRN