https://www.youtube.com/watch?v=on_3QvhcHL8
MOSFET 기본구조
Metal Oxide Semiconductor(물질)+ FET ( Field effect transistor 동작원리 : 전계효과로 저항을 바꾸어 전기가 통하거나 안통하게 만든다. )
과거 Bipolar TR , Tunneling TR 쓰임
MOSFET은 흔히
CMOS 라고 부른다 . Complementary MOS
전자가 흐르는 N -type과 홀이 흐르는 P -type 모두 있는 반도체
( P형 , N형 모두 있는 반도체 )
N type MOSFET - P type substrate
P type MOSFET - N type substrate 위에 제작
N-MOSFET 에서 보면
Source , Drain가 전류가 흘러가는 두개의 주된 전극
Gate 가 전압을 가해 - depletion과 Inversion 능력 번갈아가면서 수행하며
Source 에서 Drain으로 전자가 흐름
MOSFET에서 학문적으로 정의하는 source와 drain
Source - 전류를 만드는 carrier가 흘러나오는곳이 source ( source제공 )
Drain - 전류를 만드는 carrier가 들어가는곳이 drain (depletion)
N-MOSFET 전자가 Source에서 나와서 Drain으로들어감 (전류의방향과 전자의 방향은 반대)
P-MOSFET 홀이 Source에서 나와서 Drain으로 들어감 (전류의방향과 홀의 방향은 같음)
모든 carrier는 surface에서 strong inversion을 통해 minority carrier였다가 major carrier 로 바뀐다
>> 무슨뜻인지 이해안됨
N-MOSFET gate ((Vt상에)) +전압을 강하게 강하면 surface에 전자들이 inversion이 일어나게 되고 source에서 drain으로 전자가 흐르고 전류가 흐르게 된다.
Vt상이 먼지 공부
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